Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (РФЭС) позволяет проводить анализ химических состояний на поверхности твёрдых материалов. Анализ образцов крупных размеров позволяет контролировать однородность полноразмерных полупроводниковых пластин.
Система позволяет проводить неразрушающий анализ сверхтонких покрытий (толщиной до 10 нм) с разрешением по глубине 0.1 нм, используя запатентованную технологию PARXPS (такая же система использована в приборе Theta Probe).
Для более толстых плёнок (до 2 мкм) используется система травления пучком ионов, которая позволяет проводить послойный анализ методом РФЭС для построение профилей распределения концентраций на большие глубины.